外延片测试解决方案
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集成电路制造技术是一个复杂的工艺,技术更新很快。随着半导体技术的不断发展,器件的关键尺寸越来越小,正是由于关键尺寸的减小才使得每个芯片上设置百万个器件成为可能。

半导体器件在制备过程中或者制备完成后需要对半导体器件进行检测,例如晶圆可接受测试(wat)/晶圆测试(cp)等测试。

目前在实验室以及量产芯片的晶圆测试(cp)测试中,用到的探针卡在多次降落碰触(touchdown)后,探针卡上的探针会逐步被氧化,同时被焊盘上的铝屑以及晶圆上的杂物所粘附,特别是在高温测试环境以及探针要通过大电流的情况下,氧化情况会加速。这对一些精确测试,特别是对整个测试环境中接触电阻很敏感的电流测试,高速测试项目的结果造成严重影响。

目前解决这类问题的方法如下:

1、当发现测试数据异常时,暂停测试,取下探针卡,并在显微镜下确认问题后,做清针处理,或者将针卡放回探针台做机械磨针处理。

2、还有一种方法,为了不影响测试效率,就设定探针台(probestation)定时做磨针处理,频繁的磨针会损失探针卡的使用寿命,特别是比较贵重的探针卡,损失还是比较严重的。

因此目前针对探针被氧化的问题虽然具有上述两种处理方法,但是各自都存在很多弊端。如何在cp测试中解决这一个问题,保证测试数据的稳定可靠,延长针卡的使用寿命,成为目前亟需解决的问题。

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